উলফস্পিড ২০০ মিমি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারের বাণিজ্যিক উদ্বোধন ঘোষণা করেছে

তাৎক্ষণিক যোগ্যতার জন্য ওল্ফস্পিড ২০০ মিমি সিআইসি এপিট্যাক্সিও অফার করছে, যা এর ২০০ মিমি বেয়ার ওয়েফারের সাথে যুক্ত হলে, যুগান্তকারী স্কেলেবিলিটি এবং উন্নত মানের দাবি করা হয়, যা পরবর্তী প্রজন্মের উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন পাওয়ার ডিভাইসগুলিকে সক্ষম করে।

"ওল্ফস্পিডের ২০০ মিমি SiC ওয়েফারগুলি ওয়েফার ব্যাসের সম্প্রসারণের চেয়েও বেশি কিছু - এটি এমন একটি উপকরণ উদ্ভাবনের প্রতিনিধিত্ব করে যা আমাদের গ্রাহকদের আত্মবিশ্বাসের সাথে তাদের ডিভাইস রোডম্যাপগুলিকে ত্বরান্বিত করতে সক্ষম করে," প্রধান ব্যবসায়িক কর্মকর্তা ডঃ চেঙ্গিজ বলকাস বলেন। "স্কেলে গুণমান সরবরাহের মাধ্যমে, ওল্ফস্পিড পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স নির্মাতাদের উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন, আরও দক্ষ সিলিকন কার্বাইড সমাধানের ক্রমবর্ধমান চাহিদা মেটাতে সক্ষম করছে।"

উলফস্পিডের মতে, ৩৫০µm পুরুত্বের ২০০ মিমি SiC বেয়ার ওয়েফারের উন্নত প্যারামেট্রিক স্পেসিফিকেশন এবং যা উন্নত বলে দাবি করা হচ্ছে, শিল্প-নেতৃস্থানীয় ডোপিং এবং ২০০ মিমি এপিট্যাক্সির পুরুত্বের অভিন্নতা ডিভাইস নির্মাতাদের MOSFET ফলন উন্নত করতে, টাইম-টু-মার্কেট ত্বরান্বিত করতে এবং স্বয়ংচালিত, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি, শিল্প এবং অন্যান্য উচ্চ-বৃদ্ধির অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে আরও প্রতিযোগিতামূলক সমাধান সরবরাহ করতে সক্ষম করে। ২০০ মিমি SiC এর জন্য এই পণ্য এবং কর্মক্ষমতা অগ্রগতি ১৫০ মিমি SiC উপকরণ পণ্যের জন্য ক্রমাগত শেখার ক্ষেত্রেও প্রয়োগ করা যেতে পারে, সংস্থাটি আরও যোগ করে।

"এই অগ্রগতি সিলিকন কার্বাইড উপকরণ প্রযুক্তির সীমানা ঠেলে দেওয়ার জন্য উলফস্পিডের দীর্ঘস্থায়ী প্রতিশ্রুতিকে প্রতিফলিত করে," বলকাস বলেন। "এই উদ্বোধনটি গ্রাহকদের চাহিদা পূর্বাভাস দেওয়ার, চাহিদার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ করার এবং আরও দক্ষ বিদ্যুৎ রূপান্তরের ভবিষ্যতকে সম্ভব করে তোলে এমন উপকরণের ভিত্তি সরবরাহ করার আমাদের ক্ষমতা প্রদর্শন করে।"