২০২৪ সালের ১৩ই সেপ্টেম্বর, রেসোনাক ইয়ামাগাতা প্রিফেকচারের হিগাশিনে শহরে অবস্থিত তাদের ইয়ামাগাতা প্ল্যান্টে পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টরের জন্য SiC (সিলিকন কার্বাইড) ওয়েফার উৎপাদনের একটি নতুন ভবন নির্মাণের ঘোষণা দিয়েছে। ২০২৫ সালের তৃতীয় ত্রৈমাসিকে এর নির্মাণকাজ সম্পন্ন হবে বলে আশা করা হচ্ছে।
নতুন এই কেন্দ্রটি এর সহযোগী প্রতিষ্ঠান রেসোনাক হার্ড ডিস্ক-এর ইয়ামাগাতা প্ল্যান্টের ভেতরে অবস্থিত হবে এবং এর ভবন এলাকা হবে ৫,৮৩২ বর্গমিটার। এখানে SiC ওয়েফার (সাবস্ট্রেট এবং এপিট্যাক্সি) উৎপাদন করা হবে। ২০২৩ সালের জুন মাসে, রেসোনাক অর্থনৈতিক নিরাপত্তা উন্নয়ন আইনের অধীনে গুরুত্বপূর্ণ উপকরণ, বিশেষত সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ (SiC ওয়েফার)-এর সরবরাহ নিশ্চয়তা পরিকল্পনার অংশ হিসেবে অর্থনীতি, বাণিজ্য ও শিল্প মন্ত্রণালয় থেকে সনদপত্র লাভ করে। অর্থনীতি, বাণিজ্য ও শিল্প মন্ত্রণালয় কর্তৃক অনুমোদিত এই সরবরাহ নিশ্চয়তা পরিকল্পনা অনুযায়ী, তোচিগি প্রিফেকচারের ওয়ামা শহর; শিগা প্রিফেকচারের হিকোন শহর; ইয়ামাগাতা প্রিফেকচারের হিগাশিনে শহর; এবং চিবা প্রিফেকচারের ইচিহারা শহরে অবস্থিত কেন্দ্রগুলোতে SiC ওয়েফার উৎপাদন ক্ষমতা শক্তিশালী করার জন্য ৩০.৯ বিলিয়ন ইয়েন বিনিয়োগ করা হবে এবং এর জন্য ১০.৩ বিলিয়ন ইয়েন পর্যন্ত ভর্তুকি প্রদান করা হবে।
পরিকল্পনা অনুযায়ী, ২০২৭ সালের এপ্রিল মাস থেকে ওয়ামা সিটি, হিকোন সিটি এবং হিগাশিনে সিটিতে SiC ওয়েফার (সাবস্ট্রেট) সরবরাহ শুরু করা হবে, যার বার্ষিক উৎপাদন ক্ষমতা হবে ১,১৭,০০০ পিস (যা ৬ ইঞ্চির সমতুল্য)। ইচিহারা সিটি এবং হিগাশিনে সিটিতে SiC এপিটেক্সিয়াল ওয়েফার সরবরাহ ২০২৭ সালের মে মাস থেকে শুরু হওয়ার কথা রয়েছে, যার প্রত্যাশিত বার্ষিক ক্ষমতা হবে ২,৮৮,০০০ পিস (অপরিবর্তিত)।
২০২৪ সালের ১২ই সেপ্টেম্বর, কোম্পানিটি ইয়ামাগাতা প্ল্যান্টে পরিকল্পিত নির্মাণস্থলে একটি ভিত্তিপ্রস্তর স্থাপন অনুষ্ঠান আয়োজন করে।
পোস্ট করার সময়: ১৬-সেপ্টেম্বর-২০২৪