শিল্প সংবাদ: উলফস্পিড ২০০ মিমি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারের বাণিজ্যিক সূচনা ঘোষণা করেছে।

উলফস্পিড তাৎক্ষণিক কোয়ালিফিকেশনের জন্য ২০০ মিমি SiC এপিট্যাক্সিও প্রদান করছে, যা তাদের ২০০ মিমি বেয়ার ওয়েফারের সাথে যুক্ত হয়ে যুগান্তকারী স্কেলেবিলিটি ও উন্নত গুণমান প্রদান করে বলে দাবি করা হয় এবং এর মাধ্যমে পরবর্তী প্রজন্মের উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন পাওয়ার ডিভাইস তৈরি করা সম্ভব হয়।

“উলফস্পিডের ২০০ মিমি SiC ওয়েফার শুধুমাত্র ওয়েফারের ব্যাস বৃদ্ধিই নয় – এটি এমন একটি উপাদানগত উদ্ভাবন যা আমাদের গ্রাহকদের আত্মবিশ্বাসের সাথে তাদের ডিভাইস রোডম্যাপকে ত্বরান্বিত করতে সক্ষম করে,” বলেন চিফ বিজনেস অফিসার ডঃ চেঙ্গিজ বাল্কাস। “বৃহৎ পরিসরে গুণমান সরবরাহ করার মাধ্যমে, উলফস্পিড পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স প্রস্তুতকারকদের উচ্চ-কার্যক্ষম ও অধিক কার্যকর সিলিকন কার্বাইড সমাধানের ক্রমবর্ধমান চাহিদা মেটাতে সক্ষম করছে।”

উলফস্পিড জানায়, ৩৫০µm পুরুত্বের ২০০ মিমি SiC বেয়ার ওয়েফারের উন্নত প্যারামেট্রিক স্পেসিফিকেশন এবং ২০০ মিমি এপিট্যাক্সির উন্নত ও শিল্প-সেরা ডোপিং ও পুরুত্বের সমরূপতা ডিভাইস নির্মাতাদের MOSFET-এর উৎপাদন বৃদ্ধি করতে, বাজারে আনার সময় ত্বরান্বিত করতে এবং অটোমোটিভ, নবায়নযোগ্য শক্তি, শিল্প ও অন্যান্য দ্রুত বর্ধনশীল অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে আরও প্রতিযোগিতামূলক সমাধান সরবরাহ করতে সক্ষম করে। প্রতিষ্ঠানটি আরও যোগ করে যে, ২০০ মিমি SiC-এর জন্য এই পণ্য ও কর্মক্ষমতার অগ্রগতি ১৫০ মিমি SiC উপকরণ পণ্যের জন্য চলমান শিক্ষায়ও প্রয়োগ করা যেতে পারে।

“এই অগ্রগতি সিলিকন কার্বাইড উপাদান প্রযুক্তির সীমানা প্রসারিত করার ক্ষেত্রে উলফস্পিডের দীর্ঘদিনের প্রতিশ্রুতির প্রতিফলন,” বলেন বাল্কাস। “এই উন্মোচনটি গ্রাহকের চাহিদা আগে থেকে অনুমান করা, চাহিদা অনুযায়ী উৎপাদন বৃদ্ধি করা এবং এমন একটি উপাদানগত ভিত্তি সরবরাহ করার ক্ষেত্রে আমাদের সক্ষমতা প্রমাণ করে, যা ভবিষ্যতে আরও কার্যকর শক্তি রূপান্তরকে সম্ভব করে তুলবে।”